La inteligencia artificial es la gran apuesta de Samsung, de eso no hay duda. Por ese motivo, el fabricante surcoreano ha iniciado la producción en masa de los semiconductores V-NAND QLC de 1 TB de novena generación. Con esto es fácil lo que podemos intuir: Samsung está consolidando su liderazgo en el mercado de las memorias flash NAND de alta capacidad y rendimiento.
Apostando por el liderazgo
Samsung Electronics está reforzando su liderazgo en el mercado flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento con la primera producción en masa de V-NAND QLC de novena generación de la industria, después de haber ejecutado la primera producción de V-NAND de novena generación de celda de triple nivel (TLC) de la industria en abril de este año
Samsung planea expandir las aplicaciones de la V-NAND QLC implementándolo, al principio, en los productos de consumo y extendiéndose al almacenamiento flash universal móvil, PC y SSD de servidor para clientes.
LA V-NAND QLC de novena generación de Samsung aporta varias innovaciones como, por ejemplo, en el área las celdas y los circuitos periféricos se han optimizado mediante la V-NAND TLC de novena generación. La adopción de Designed Mold ha mejorado el rendimiento de la retención de datos en casi un 20% respecto a las versiones anteriores, por lo que ha mejorado la confiabilidad del producto.
Además, la memoria V-NAND QLC de novena generación de la compañía ha duplicado el rendimiento de escritura y ha mejorado la velocidad de entrada y salida de datos en un 60 %. El consumo de energía de lectura y escritura de datos disminuyó aproximadamente un 30 % y un 50 %, respectivamente.
Imágenes | Samsung
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