La primera V-NAND QLC y TLC de novena generación de la industria ofrecen una memoria óptima para aplicarla en la IA
La inteligencia artificial es la gran apuesta de Samsung, de eso no hay duda. Por ese motivo, el fabricante surcoreano ha iniciado la producción en masa de los semiconductores V-NAND QLC de 1 TB de novena generación. Con esto es fácil lo que podemos intuir: Samsung está consolidando su liderazgo en el mercado de las memorias flash NAND de alta capacidad y rendimiento.
Apostando por el liderazgo
Samsung Electronics está reforzando su liderazgo en el mercado flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento con la primera producción en masa de V-NAND QLC de novena generación de la industria, después de haber ejecutado la primera producción de V-NAND de novena generación de celda de triple nivel (TLC) de la industria en abril de este año
Samsung planea expandir las aplicaciones de la V-NAND QLC implementándolo, al principio, en los productos de consumo y extendiéndose al almacenamiento flash universal móvil, PC y SSD de servidor para clientes.
LA V-NAND QLC de novena generación de Samsung aporta varias innovaciones como, por ejemplo, en el área las celdas y los circuitos periféricos se han optimizado mediante la V-NAND TLC de novena generación. La adopción de Designed Mold ha mejorado el rendimiento de la retención de datos en casi un 20% respecto a las versiones anteriores, por lo que ha mejorado la confiabilidad del producto.
Además, la memoria V-NAND QLC de novena generación de la compañía ha duplicado el rendimiento de escritura y ha mejorado la velocidad de entrada y salida de datos en un 60 %. El consumo de energía de lectura y escritura de datos disminuyó aproximadamente un 30 % y un 50 %, respectivamente.
Imágenes | Samsung
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